产品简介
原理：根据硅、锗单晶的迁移率、电阻率和杂质浓度的关系，可直接测量、计算出晶体内的杂质浓度。 
适用范围：它适合于测量横截面尺寸是可测量的，而且棒的长度大于横截面线度的有规则的长棒，例如横断面为圆形、正方形、长方形或梯形的单晶或多晶锭。 
用途：根据测量沿锭长杂质浓度的分布状况决定产品的合格部分，通过杂质浓度的直接测量，决定晶体生长过程中的掺杂数量。 
样品可在常温或低温下测量。 
显示方式：仪器连接PC机，通过测试软件计算，用对数坐标的方式来显示杂质浓度（含次方数）沿锭长的分布曲线，可对曲线图进行打印和保存。 
测量范围： 可测晶体电阻率：0.005-3000Ω·cm。 
直流数字电压表测量范围：0-199.99mV，灵敏度：10μA。